收藏本站
SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ZVN2110G
ISSUE 3 – OCTOBER 1995
7
FEATURES
* 6A PULSE DRAIN CURRENT
D
* FAST SWITCHING SPEED
S
PARTMARKING DETAIL -
COMPLEMENTARY TYPE -
ZVN2110
ZVP2110G
G
D
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
100
500
6
± 20
2
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN. TYP. MAX. UNIT
CONDITIONS.
Drain-Source Breakdown Voltage
BV DSS
100
V
I D =1mA, V GS =0V
Gate-Source Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
V GS(th)
I GSS
I DSS
0.8
0.1
2.4
20
1
100
V
nA
μ A
μ A
I D =1mA, V DS = V GS
V GS = ± 20V, V DS =0V
V DS =100V, V GS =0
V DS =80V, V GS =0V, T=125°C(2)
On-State Drain Current(1)
Static Drain-Source On-State
I D(on)
R DS(on)
1.5
2
4
A
?
V DS =25V, V GS =10V
V GS =10V, I D =1A
Resistance (1)
Forward Transconductance (1)(2)
Input Capacitance (2)
g fs
C iss
250
350
59
75
mS
pF
V DS =25V, I D =1A
Common Source Output
C oss
16
25
pF
V DS =25 V, V GS =0V, f=1MHz
Capacitance (2)
Reverse Transfer Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
C rss
t d(on)
4
4
8
7
pF
ns
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
t r
t d(off)
t f
4
8
8
8
13
13
ns
ns
ns
V DD ≈ 25V, I D =1A
DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL
MIN. TYP. MAX. UNIT
CONDITIONS.
Diode Forward Voltage (1)
Reverse Recovery Time
V SD
T RR
0.82
112
V
ns
I S =0.32A, V GS =0
I F =0.32A, V GS =0, I R =0.1A
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
3 - 387
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ZVN2120GTC MOSFET N-CHAN 200V SOT223
ZVN3306ASTOB MOSFET N-CHAN 60V TO92-3
ZVN3306FTC MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3
ZVN3310ASTOA MOSFET N-CHAN 100V TO92-3
ZVN3310FTC MOSFET N-CHAN 100V SOT23-3
ZVN3320FTC MOSFET N-CHAN 200V SOT23-3
ZVN4106FTC MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3
ZVN4206ASTOB MOSFET N-CHAN 60V TO92-3
相关代理商/技术参数
ZVN2110L 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220
ZVN212 制造商:OMRON AUTOMATION AND SAFETY 功能描述:LIMIT SW SEAL CROSSROLLER PLUNG
ZV-N21-2 功能描述:基本/快动开关 Limit Switch RoHS:否 制造商:Omron Electronics 触点形式:SPDT 执行器:Lever 电流额定值:5 A 电压额定值 AC:250 V 电压额定值 DC:30 V 功率额定值: 工作力:120 g IP 等级:IP 67 NEMA 额定值: 端接类型:Wire 安装:Panel
ZVN2120A 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN2120AM1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 180MA I(D) | SO
ZVN2120ASTOA 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN2120ASTOB 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN2120ASTZ 功能描述:MOSFET N-Chnl 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube